BATOP半導體可飽和吸收鏡

簡要描述：被動鎖模技術由於(yu) 便於(yu) 組裝，操作簡單等優(you) 點，已被人們(men) 廣泛的應用於(yu) 各類激光腔中來產(chan) 生超短脈衝(chong) 串。Eachwave專(zhuan) 業(ye) 提供被動鎖模器件BATOP半導體(ti) 可飽和吸收鏡SESAM：可飽和吸收鏡（SAM），可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體(ti) 的損耗機製，連續激光器中雜亂(luan) 的多脈衝(chong) 可以被調製成有規律的超短脈衝(chong) 串。

產品型號：SESAM
更新時間：2025-03-13
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產(chan) 品分類

Product classification

超快調製與(yu) 測量

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產(chan) 品簡介

品牌	其他品牌	供貨周期	一個月以上
應用領域	電子/電池

詳細介紹

BATOP半導體(ti) 可飽和吸收鏡產(chan) 品簡介：

被動鎖模技術由於(yu) 便於(yu) 組裝，操作簡單等優(you) 點，已被人們(men) 廣泛的應用於(yu) 各類激光腔中來產(chan) 生超短脈衝(chong) 串。Eachwave專(zhuan) 業(ye) 提供被動鎖模器件BATOP半導體(ti) 可飽和吸收鏡SESAM：可飽和吸收鏡（SAM），可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定。通過可飽和吸收體(ti) 的損耗機製，連續激光器中雜亂(luan) 的多脈衝(chong) 可以被調製成有規律的超短脈衝(chong) 串。

可飽和吸收體(ti) 在強光下被漂白，可以使大部分腔內(nei) 能量通過可飽和吸收體(ti) 到達反射鏡，並再次反射回激光腔中；在弱光下，表現為(wei) 吸收未飽和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把這部分弱光從(cong) 激光腔中去除掉，表現了調 Q 鎖模的抑製作用。而且由於(yu) 吸收掉了脈衝(chong) 前沿部分，脈衝(chong) 寬度在反射過程中會(hui) 逐漸變窄。

Eachwave推出的半導體(ti) 可飽和吸收鏡SESAM包含一個(ge) 布拉格反射鏡（Bragg-mirror）生長在基底上（如GaAs晶圓），然後可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上。盡管半導體(ti) 可飽和吸收鏡已經被廣泛的用於(yu) 各種激光腔中進行模式鎖定，但是SAM的應用還是要根據具體(ti) 情況被精確地設計，如不同的激光器具有不同損耗，增益譜，腔內(nei) 功率等等，可飽和吸收體(ti) 的參數都需要跟這些參數相匹配。

BATOP 是激光被動鎖模器件-可飽和吸收體(ti) 的專(zhuan) 業(ye) 供應商。可飽和吸收產(chan) 品集合了各式各樣的不同的器件，包括可飽和吸收鏡(SESAM)，可飽和輸出耦合鏡(SOC)，共振可飽和吸收鏡RSAM，可飽和噪聲抑製器SANOS，和用於(yu) 透過應用的可飽和吸收體(ti) (SA)。迄今為(wei) 止，可飽和吸收產(chan) 品已經覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長範圍；封裝形式多樣，可適用於(yu) 不同激光係統結構。

半導體(ti) 可飽和吸收鏡SESAM產(chan) 品

Wavelength region 790 nm ... 830 nm: 800 nm

Wavelength region 910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm | 1100 nm

Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm | 1300 nm

Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm | 1645 nm

Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

查看最新SESAM型號：SESAM半導體(ti) 可飽和吸收鏡屹持光電德國BATOP

半導體(ti) 可飽和吸收鏡的不同封裝形式

規格型號：	描述
SAM-λ-A-τ-x	λ=波長，A=吸收率，τ=弛豫時間，x=封裝形式
x =4.0-0	•裸芯片，芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm
x = 1.0b-0	•一盒，4個(ge) 裸芯片，芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm
x = 1.3b-0	•一盒，4個(ge) 裸芯片，芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-12.7g-c •邊緣安裝：x = 4.0-12.7g-e
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-12.7s-c •邊緣安裝：x = 4.0-12.7s-e
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.0g-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0g-e
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.0s-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0s-e
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.4g-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.4g-e
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.4s-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.4s-e
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm，焊接在水冷銅散熱片上，直徑25.0 mm •中心安裝：x = 4.0-25.0w-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0w-e
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e	•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，薄膜焊接在水冷銅散熱器上，直徑25.0 mm，適用於(yu) 高功率應用。 •中心安裝：x = 4.0-25.0h-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0h-e
x = FC/PC或者 FC/APC	•安裝在1米長的單模光纖上。 •可用光纖：HI 980，HI 1060，Panda SM98-PS-U25A •FC / PC接頭：x = FC / PC •FC / APC接頭：x = FC / APC
訂購示例	SAM-1064-2-1ps-4.0-0，SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060

附件：
FM-1.3	1.3芯片專(zhuan) 用散熱底座
PHS	光纖耦合封裝專(zhuan) 用散熱底座