高阻抗本征矽

產(chan) 品簡介     

      除了人造金剛石，高阻抗的本征矽（高阻矽）材料是適合極寬範圍從(cong) (1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項同性晶體(ti) 材料。和鑽石相比，它要便宜的多，並且生長製造更容易。而且他尺寸更大，更容易製造，THz技術的快速發展，就基於(yu) 該優(you) 點。對於(yu) THz應用，我們(men) 提供在1000 µm (對於(yu) 更長波長，3000甚至8000微米)透過率達到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區本征矽材料，和相關(guan) 光學元件。

      合成電解質矽的介電常數由傳(chuan) 導率決(jue) 定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THz下，不同純度下的矽的介電常數.低摻雜的介電常數接近真實值，大約等於(yu) 高頻介電常數。隨著摻雜濃度的提高，真實的介電常數將變成負數，而且不能被忽略。介電常數表征的是THz波的傳(chuan) 輸損耗特性。損耗係數可以用下麵的公式計算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這裏 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數（8.85*10-12 F/m）。ε0 –矽的介電常數(11.67), R是電阻值。例如，1THz下，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗係數為(wei) 1.54*10-5。

1mm厚度的高阻抗本征矽窗片的betway竞猜時域光譜儀(yi) 測試數據

高阻抗本征矽產(chan) 品

- 高阻抗矽襯底/基片/窗片

- 高阻抗矽球透鏡

- 高阻抗矽分束鏡

- 高阻抗矽鏡頭

1，高阻矽基片                                    2，高阻矽F-P標準具 

3，高阻矽betway竞猜半球透鏡                                4，高阻矽betway竞猜透鏡

5，高阻矽鏡頭                                                   6，高阻矽棱鏡