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產(chan) 品分類
Product classification產(chan) 品簡介
| 品牌 | 其他品牌 | 產地類別 | 國產 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 電子/電池 |
詳細介紹
磷化镓晶體(ti) 是一種人工合成的化合物半導體(ti) 材料。外觀：橙紅色透明晶體(ti) 。磷化镓晶體(ti) 是一種由ⅢA族元素镓(Ga)與(yu) VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導體(ti) 材料。磷化镓的晶體(ti) 結構為(wei) 閃鋅礦型，晶格常數5.447±0.06埃，化學鍵是以共價(jia) 鍵為(wei) 主的混合鍵，其離子鍵成分約為(wei) 20%，300K時能隙為(wei) 2.26eV，屬間接躍遷型半導體(ti) 。磷化镓與(yu) 其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(ti) (如GaAS、 InP)相同，可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質元素可成為(wei) 半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。
<110>晶向的GaP晶體(ti) 常常被用在betway竞猜時域光譜儀(yi) 中作為(wei) 探測晶體(ti) ，其橫光學支聲子線在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。
磷化镓晶體(ti) 實物圖
中文名：磷化镓晶體(ti)
外文名：Gallium phosphide
分子式：GaP晶體(ti)
分子量：100.6968
實驗結果圖為(wei) 40fs鈦藍寶石激光泵浦寬譜光電導天線，400um厚GaP晶體(ti) 探測的結果
| 型號 | 晶向 | 尺寸(mm) | 厚度（mm） |
| GaP-110-10-2 | <110> | 10*10 | 2 |
| GaP-110-10-1 | <110> | 10*10 | 1 |
| GaP-110-10-0.5 | <110> | 10*10 | 0.5 |
| GaP-110-10-0.4 | <110> | 10*10 | 0.4 |
| GaP-110-10-0.3 | <110> | 10*10 | 0.3 |
| GaP-110-10-0.2 | <110> | 10*10 | 0.2 |
| GaP-110-10-0.1 | <110> | 10*10 | 0.1 |
| GaP-110-10-0.05 | <110> | 10*10 | 0.05 |
| GaP-110-10-10-0.1-3 | 晶向100um厚度的GaP晶體光學粘接於<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底 | ||
| GaP-110-10-10-0.2-3 | <span background-color:#ffffff;"="" style="color: rgb(51, 51, 51)"><110>晶向200um厚度的GaP晶體光學粘接於<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底 | ||
| GaP-110-10-10-0.3-3 | <110>晶向300um厚度的GaP晶體光學粘接於<100>晶向3mm厚度的GaP晶體襯底 | ||
(a)其他規格要求的GaP晶體(ti) 可以定製
(b)晶體(ti) 默認帶有外徑25.4mm的安裝架
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