低溫砷化镓基片外延生長定製

LT-GaAs低溫砷化镓基片外延生長定製

GaAs砷化镓是Ⅲ-Ⅴ族元素化合物，黑灰色固體(ti) ，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在，並且不為(wei) 非氧化性的酸侵蝕。砷化镓可作半導體(ti) 材料，其電子遷移率高、介電常數小，能引入深能級雜質、電子有效質量小，能帶結構特殊，可作外延片。

1、半導體(ti) 光電子器件結構生長

我們(men) 可在GaAs砷化镓基底上生長高質量AlAs、GaAs、InAs、AlGaAs、AlInAs和InGaAs材料外延薄膜層，適用於(yu) 不同應用。

2、低溫砷化镓

對於(yu) 某些應用需要快速響應裝置，例如光學探測器、可飽和吸收器 或光電導天線。我們(men) 提供低溫外延生長器件，響應時間短至1  ps。

我們(men) 可提供以下在GaAs襯底上生長的一個(ge) 或兩(liang) 個(ge) 單層的低溫砷化镓。

低溫砷化镓基片外延生長定製參數如下：

• 砷化镓晶片直徑：2" 或4"

• 最大薄膜疊層厚度：5 μm

規格：

• LT-GaAs-50.8：2"（50.8 mm）LT-GaAs晶片

• LT-GaAs-100：4"（100 mm）LT-GaAs晶片

• LT-InGaAs-100：4"（100  mm）LT-InGaAs晶圓片

• LT-GaA-100-C：具有定製金屬結構的4"（100  mm）LT-GaAs晶圓片