光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體

光折變晶體(ti) ：SBN鍶鋇铌酸鹽晶體(ti) /BSO矽酸鉍晶體(ti) /BGO鍺酸鉍晶體(ti) /Fe:LNB摻鐵铌酸鋰晶體(ti)

     光折變效應是局部折射率通過光強度的空間變化而改變的現象。當形成空間變化的照明圖案的光折射材料中，相幹光彼此幹涉時，可強烈觀察到。這是由於(yu) 漂移或擴散和空間電荷分離效應，在遷移材料中產(chan) 生電荷載流子。產(chan) 生的所產(chan) 生的電場通過電光效應引起折射率變化。其中一些應用是空間光調製器，4波混頻，相位共軛，光存儲(chu) 器和計算。

     Sillenite單晶Bi12SiO20（BSO）和Bi12GeO20（BGO）顯示了不同物理性質的組合。BSO和BGO晶體(ti) 是非常有效的光電導體(ti) ，具有低暗電導率，允許建立大的光誘導空間電荷。光電導性和光電特性的強烈光譜依賴性允許開發和生產(chan) 各種各樣的光學器件和係統。BSO和BGO晶體(ti) 用於(yu) 空間光調製器，動態實時全息記錄設備，相位共軛波混合，光學相關(guan) 器和光學激光係統，用於(yu) 超短光脈衝(chong) 的自適應校正。光誘導吸收使其有可能開發和生產(chan) “光  - 光"型光學器件，如光學調製器，開關(guan) 等。   通過不同技術製造氧化亞(ya) 錫薄膜晶體(ti) 結構允許開發包括光學波導，集成光學器件的多種裝置。基於(yu) Sillenites的波導光學結構的使用允許在寬光譜範圍內(nei) 實現均勻照射（通常到波導平麵）。

BGO                                       SBN

    Sillenite  Oxides的相對較大的電光和法拉第效應使其可用於(yu) 光纖電/磁場傳(chuan) 感器。我們(men) 能夠少量提供未摻雜的BSO和BGO晶體(ti) 用於(yu) 科學研究，並大量用於(yu) 工業(ye) 目的。隨著2x2x2  - 25x25x25 mm3晶體(ti) ，我們(men) 還提供帶有ITO（氧化銦錫）塗層的孔徑高達30x30 mm2，厚度為(wei) 0.5 - 5 mm的晶體(ti) 板。
     鍶鋇铌酸鹽（SrxBa（1-x）Nb2O6）SBN是一種優(you) 異的光學和光折變材料。名義(yi) 上純，由Ce，Cr，Co，Fe摻雜。不同組成的SBN晶體(ti) 用於(yu) 電光學，聲光學和光折變非線性光學器件。一種新的生長技術提供了優(you) 異的光學質量單晶，沒有生長條紋，夾雜物和其他不均勻性，以及高達80mm的確定橫截麵和線性尺寸。SBN晶體(ti) 元件滿足不同應用的要求。基於(yu) 這種的晶體(ti) 生長技術，可以使用大量高質量的SBN光學元件和光折變單元，Fe：LiNbO3（其他摻雜劑可用）。

    鐵摻雜铌酸鋰晶體(ti) （Fe：LiNbO3）是一種常用的具有高電光（EO）係數，高光折變靈敏度和衍射效率的光折變材料。與(yu) BaTiO3係列光折變晶體(ti) 相比，它具有易於(yu) 操作和存儲(chu) ，成本低，尺寸利用率大等突出優(you) 點，使其更適用於(yu) 批量製造和實用設備。因此，Fe：LiNbO3晶體(ti) 將預測廣泛的應用。MolTech提供具有不同Fe摻雜濃度，尺寸和光學處理要求的晶體(ti) 。

光折變晶體(ti) SBN,BSO,BGO,Fe:LNB晶體(ti)

光折變晶體(ti) ：SBN鍶鋇铌酸鹽晶體(ti) /BSO矽酸鉍晶體(ti) /BGO鍺酸鉍晶體(ti) /Fe:LNB摻鐵铌酸鋰晶體(ti)

我們(men) 可提供棒或薄片，由具有不同橫截麵和尺寸的薄膜光折射晶體(ti) 製成。不同濃度的不同摻雜劑可滿足特定客戶的要求。

光折變晶體(ti) ：SBN鍶鋇铌酸鹽晶體(ti) /BSO矽酸鉍晶體(ti) /BGO鍺酸鉍晶體(ti) /Fe:LNB摻鐵铌酸鋰晶體(ti)