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晶體非線性晶體倍頻晶體(ß-BaB2O4)

簡要描述：晶體(ti) 非線性晶體(ti) 倍頻晶體(ti) (ß-BaB2O4)晶體(ti) 相對較窄的角度接收帶寬（特別是在UV中）可能限製其在涉及激光的某些應用中的有用性，所述激光具有小於(yu) 衍射極限的光束質量。在大多數情況下，其溫和的吸濕性不限製其有用性。
BBO非線性晶體(ti) (ß-BaB2O4)廣泛的相位匹配性使其成為(wei) Nd：YAG和其他Q

  • 產品型號：BBO
  • 更新時間：2025-03-12
  • 訪  問  量：1020

產(chan) 品簡介

品牌其他品牌供貨周期兩周
應用領域環保,化工,電子/電池

詳細介紹

BBO晶體非線性晶體倍頻晶體(ß-BaB2O4)

產(chan) 品介紹

    BBO晶體(ti) 非線性晶體(ti) 倍頻晶體(ti) (ß-BaB2O4，ß-硼酸鋇）是一種優(you) 異的光學非線性晶體(ti) 。它具有寬相位匹配範圍、高非線性（約為(wei) KDP的6倍）、高光損傷(shang) 閾值、良好的機械和溫度穩定性等特性。這種三角形單軸晶體(ti) 具有0.19至3.3μm的寬透明度。其有用的透射範圍（<5％/  cm）為(wei) 0.21至2.1μm，並且已經證明其對於(yu) 產(chan) 生低至約0.21μm的二次諧波輻射有效。它對於(yu) 寬可調光學參量振蕩器（OPO）和放大器（OPA）也很有用。自相關(guan) 應用可以低至0.19um。其出色的紅外透射和寬熱接收帶寬可實現高平均功率OPO/OPA操作。   

     BBO晶體(ti) 相對較窄的角度接收帶寬（特別是在UV中）可能限製其在涉及激光的某些應用中的有用性，所述激光具有小於(yu) 衍射極限的光束質量。在大多數情況下，其溫和的吸濕性不限製其有用性。
     BBO非線性晶體(ti) (ß-BaB2O4)廣泛的相位匹配性使其成為(wei) Nd：YAG和其他Q開關(guan) /鎖模固態激光器的通用應用的理想選擇。當使用可調諧的Ti：藍寶石，Alexandrite紫翠玉石或染料激光器時，BBO可用於(yu) 產(chan) 生從(cong) 近紅外到紫外線的可調輻射。這種高功率、廣泛可調的激光輻射有許多應用，包括光譜學、醫學、材料處理、非線性光學、激光雷達、遙感和光化學。在商業(ye) 市場中，基於(yu) BBO的固態非線性係統可以與(yu) 染料激光器競爭(zheng) ，並且具有降低操作成本和在大頻率範圍內(nei) 更方便調諧的優(you) 點。

典型應用：

  •  Nd：YAG激光器的諧波產(chan) 生（SHG、THG、4HG，5HG）
  • Ti: Sapphire  鈦藍寶石激光器、飛秒振蕩器、飛秒放大器的SHG、THG產(chan) 生
  • OPO的可調固態激光器（泵浦355,532或1064 nm）
  •  染料激光器光源SHG、SFG的UV輸出
  • 用於(yu) 超短脈衝(chong) （ps和fs）激光器的自相關(guan) 測試

主要規格：

可根據客戶要求提供不同規格:

800nm鈦藍寶石飛秒激光器SHG/THG  BBO倍頻晶體(ti) ：

PN BBO-TX/XHG08- LW  -TX

尺寸，mm

厚度，mm

Θ，deg

Φ，deg

鍍膜

BBO-T1SHG08-6

6×6

0.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1SHG08-8

8×8

0.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1SHG08-10

10×10  

0.05/0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1SHG08-12

12×12  

0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1SHG08-15

15×15  

0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1SHG08-20

20×20  

0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1SHG08-22

22×22  

0.1/0.2/0.5/1.0/2.0  

29.2  

90

P/P@400-800 nm  

BBO-T1THG08-6

6×6

0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

BBO-T1THG08-8

8×8

0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

BBO-T1THG08-10

10×10  

0.01/0.02/0.05/0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

BBO-T1THG08-12

12×12  

0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

BBO-T1THG08-15

15×15  

0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

BBO-T1THG08-20

20×20  

0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

BBO-T1THG08-22

22×22  

0.1/0.2/0.5/1  

44.3  

90

P/P @  400-800/266

Type 1, SHG @ 800  nm,Θ=29.2°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）：10fs-0.05；20fs-0.1；50fs-0.2；100fs-0.5；200fs-1  

Type 1, THG @ 800  nm, Θ=44,3°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）:  10fs-0.01；20fs-0.02；50fs-0.05；100fs-0.1；200fs-0.2  


1030nm飛秒激光器SHG/THG/FHG  BBO倍頻晶體(ti) ：

PN BBO-TX/XHG10-LW-TX

尺寸，mm

厚度，mm

Θ，deg

Φ，deg

鍍膜

BBO-T1SHG10-6-TX

6×6

0.5/1.0/1.5/2.0  

23.4  

90

AR/AR @ 515+1030  nm

BBO-T1SHG10-8-TX

8×8

0.5/1.0/1.5/2.0  

23.4  

90

AR/AR @ 515+1030  nm

BBO-T1SHG10-10-TX

10×10  

0.5/1.0/1.5/2.0  

23.4  

90

AR/AR @ 515+1030  nm

BBO-T1THG10-6-TX

6×6

0.15/0.25/0.4/0.55  

32.5  

90

AR/AR @ 1030+515/343  nm

BBO-T1FHG10-6-TX

6×6

0.1/0.15/0.2/0.3  

50

90

P/P @ 515/257  nm

Type1, SHG @ 1030  nm,Θ=23.4°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）：50fs-0.5；100fs-1；150fs-1.5；200fs-02  

Type1, THG @ 1030nm,  Θ=32.5°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）:  50fs-0.15；100fs-0.25；150fs-0.4；200fs-0.55  

Type1, FHG @ 1030nm,  Θ=50°, φ=90°（脈寬fs-厚度mm）:  50fs-0.1；100fs-0.15；150fs-0.2；200fs-0.3  


BBO晶體(ti) 非線性晶體(ti) 倍頻晶體(ti) (ß-BaB2O4)特性：

類型

BaB2O4

晶體(ti) 結構

三角, 3m

光學對稱

負單軸(no>ne)

晶架群

R3c

密度

3.85  g/cm3

莫氏硬度

5

光學均勻性

∂n = 10-6  cm-1

 “0"水平透射區域

189 – 3500  nm

1064 nm處線性吸收係數

< 0.1%  cm-1

折射率

no

ne

1064 nm

1.6551

1.5426

532 nm

1.6750

1.5555

355 nm

1.7055

1.5775

266 nm

1.7571

1.6139

213 nm

1.8465

1.6742

Sellmeier方程(λ, µm)

no2 =  2.7366122+0.0185720 / (λ2-0.0178746)-  0.0143756 λ2

ne2 =  2.3698703+0.0128445 / (λ2-0.0153064)-  0.0029129 λ2

相位匹配範圍 Type 1  SHG

410 – 3300  nm

相位匹配範圍Type 2  SHG

530 – 3300  nm

離走角

55.9 mrad (Type 1  SHG 1064 nm)

非線性係數

d22 = ± 2.2 pm/V;  d15 =  d31 = ± 0.08  pm/V

損傷(shang) 閾值（TEM00）

> 0.5 GW/cm2 at  1064 nm, 10 ns

~  50 GW/cm2 at 1064 nm, 1 ps

> 200 GW/cm2 at  800 nm, 100 fs, 50 Hz



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