用於超快激光器的鈦藍寶石晶體

用於超快激光器的鈦藍寶石晶體HEM® Ti:Sapphire Crystals

用於(yu) 超快激光器的鈦藍寶石晶體(ti) HEM與(yu) 國際高強度激光專(zhuan) 家社區合作，開發了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石超快激光光學器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti：Sapphire 激光光學器件，以支持當今的高強度激光設施。

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詳細介紹

HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光光學元件以其高品質而聞名，用於世界*超快激光實驗室

Crystal Systems專(zhuan) 有的HEM技術可產(chan) 生直徑達220 mm的晶體(ti) 尺寸的優(you) 質晶體(ti) 結構。由HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石晶體(ti) 製成的超快激光光學元件的波前值為(wei) 1/10或更高，FOM值高達1000。

低損傷(shang) HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光材料在Crystal Systems的光學製造設施中加工，具有極其緊密的幾何形狀和晶體(ti) 對準。晶體(ti) 質量和光學製造工藝的各個(ge) 方麵都通過專(zhuan) 業(ye) 測試和測量設備進行驗證。我們(men) 提供有關(guan) HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光光學器件的激光、光學和機械屬性的詳細質量報告。

Crystal Systems與(yu) 國際高強度激光專(zhuan) 家社區合作，開發了目前HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石超快激光光學器件。能夠提供 200 mm 和 220 mm HEM Ti：Sapphire 激光光學器件，以支持當今的高強度激光設施。

用於超快激光器的鈦藍寶石晶體HEM ® Ti:Sapphire特性：

屬性

• FOM（品質因數）與(yu) 吸收 – HEM® 工藝旨在最大限度地提高 532 nm 處的吸收，並減少 800 nm 處的寄生吸收，從(cong) 而提供業(ye) 內(nei) 較高的 FOM 值。每個(ge) 晶體(ti) 係統HEM® Ti：藍寶石晶體(ti) 都經過實際FOM值測試，這些值是業(ye) 內(nei) 較高的（高達1000）。

• HEM Ti：Sapphire 的可調範圍 – HEM® Ti：sapphire 具有從(cong) 650 nm 到 1200 nm 的寬可調範圍，峰值強度約為(wei) 800 nm。材料的寬帶寬允許短脈衝(chong) 和高重複率。我們(men) 的 Ti：Sapphire 激光光學器件提供一係列鈦摻雜濃度（0.5 至 8.0 @ alpha 532 nm），允許調整整體(ti) 路徑長度設計，以滿足您的總低功耗單次吸收 （LPSP）。

• 吸收/熒光 – Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光器通常使用π偏振操作。該圖表顯示了HEM® Ti：Sapphire在π偏振中的吸收和熒光帶。

• 布魯斯特角激光晶體(ti) – 我們(men) 大多數較小的晶體(ti) 都用布魯斯特角（Brewster’s Angle ）端拋光，以最大限度地減少反射損失。布魯斯特角基於(yu) 材料的折射率。Ti：Sapphire 的折射率為(wei) ~1.76，從(cong) 而產(chan) 生 ~60.4° 的布魯斯特角。我們(men) 的C軸旋轉精度受到嚴(yan) 格控製，以避免激光調製。

• 優(you) 良的激光拋光和高損傷(shang) 塗層 – Crystal Systems將優(you) 良的拋光技術應用於(yu) 其高功率激光光學器件，以產(chan) 生埃級粗糙度和低次表麵損傷(shang) 。我們(men) 進行測試以確保高且可重複的激光損傷(shang) 閾值。

• 防反射鍍膜 – 晶體(ti) 係統為(wei) 多通放大器晶體(ti) 提供優(you) 良的增透鍍膜。我們(men) 的塗層設計用於(yu) 在泵浦和激光波長下提供最大效率。AR塗層在現場成功運行，具有始終如一的高激光損傷(shang) 閾值結果，使激光操作員能夠準確地計算泵浦功率，從(cong) 而以較低的損壞風險大化功率輸出。

特征：

高品質HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石激光晶體(ti) 以的晶體(ti) 結構和正確的3+價(jia) 電子態開始。我們(men) 通過多階段、嚴(yan) 格的檢測流程，使用優(you) 良的測試和測量設備，確保這些要求。我們(men) 測試棒材的吸收值、均勻性、光散射、FOM、平坦度和透射波鋒。每個(ge) HEMTi：藍寶石激光棒都使用優(you) 良的設備和專(zhuan) 業(ye) 的激光技術人員進行檢查和驗證。對質量和精度的全力關(guan) 注保證了我們(men) 的激光晶體(ti) 尺寸、表麵和晶體(ti) 結構為(wei) 您的激光平台的高功率水平和出色的光束分布奠定了基礎。® ®

應用：

HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石的寬發射範圍（650 nm 至 1200 nm）、高功率密度泵浦能力以及出色的熱性能使當今的高強度激光平台成為(wei) 可能。這些設施正在創造下一代基於(yu) 激光的應用，如質子治療、加速器物理、核物理、遠場物理、紅外光譜和材料表征。Crystal Systems與(yu) 客戶密切合作，開發新的晶體(ti) 設計，以便超快激光社區能夠繼續提高其產(chan) 品的可靠性和性能。®

HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石AR塗層的激光損傷閾值測試

以下測試結果來自Crystal Systems對HEMTi：Sapphire Amplifier Crystals上使用的AR塗層進行的定期測試之一。這些結果代表了我們(men) 的塗層可以預期的損傷(shang) 閾值。®

測試樣品：

• 測試類型：激光損傷(shang) 閾值

• 基板材料：HEM Ti：藍寶石

• 試樣尺寸：直徑 1"

• 塗層類型：AR

測試條件:

• 測試波長： 532 nm

• 入射角：0º

• 脈衝(chong) 重複頻率：10 Hz

• 極化：線性

• 測試光束輪廓：透射電鏡脈衝(chong) 寬度（FWHM）：10 ns 軸向模式：多S

• 凹坑直徑： 570 μm

• site數： 80

• 測試方法：激光損傷(shang) 頻率

• 曝光持續時間：200shots/site

測試結果:

• 損傷(shang) 定義(yi) ：等離子體(ti) ，增加的He-Ne散射，使用100X Nomarski明場顯微鏡觀察到的可見損傷(shang) 。

• 結果描述：部分以13.00 Jcm-2照射，10個(ge) 點未損壞

• 激光傷(shang) 害閾值：在 14.16 Jcm-2 峰值通量下計算

• 測試由Spica Technologies Inc.公司提供。

產品規格：

1、布魯斯特切割HEM Ti:Sapphire 鈦藍寶石晶體，用於放大器和超快激光器

特性：

標準規格：